三星、SK海力士Q4 DRAM与NAND价格大幅上调30%

三星电子与SK海力士计划在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调高达30%。投行预测DRAM平均售价将上涨25-26%。这一趋势由谷歌、微软等科技公司对AI数据中心的大量投资驱动。预计到2030年，HBM市场规模将突破1000亿美元，新一代HBM4价格较当前产品高出60%。

　　行业预计DRAM和NAND价格上涨趋势将延续至2026年，花旗预测DRAM同比上涨37%，NAND同比上涨39%。为应对短缺，多家企业已开始囤积内存并签订长期供应协议。

　　现货市场方面，主流DDR4芯片价格周环比上涨9.86%，512Gb TLC晶圆价格飙升27.96%。预计第四季度NAND合约价将全面上涨5-10%，普通DRAM价格预计环比增长8-13%。若计入HBM产能影响，整体DRAM涨幅将扩大至13-18%。供应端态度积极，闪迪已率先涨价10%，美光也暂停报价以调整产能。

　　SK海力士在第三季度财报会议中确认，高带宽内存（HBM）供应短缺将持续至2027年。受AI市场强劲增长驱动，目前该公司HBM产品已全部售罄，价格维持在盈利水平。HBM虽仅占其DRAM总出货量的20%，却贡献了超过50%的营业利润。

　　为应对持续需求，SK海力士将于本季度开始出货新一代HBM4产品，并于2025年全面扩大销量。公司指出，当前存储市场已进入“超级周期”，所有产品线需求均超预期。与2017-2018年周期不同，本轮需求由AI转型驱动，覆盖更广泛应用领域。预计2025年服务器整体出货量将增长约10%，AI服务器与通用服务器需求同步提升。

　　在供应端，HBM产能扩张将导致一般DRAM供应持续紧张，这将成为支撑本轮存储超级周期延续的关键因素。

　　据行业消息，三星电子近期将12层HBM3E产品交货价格调降约30%，目前报价约为200美元，显著低于SK海力士同类产品的300美元售价。这一调价预计对SK海力士构成压力，其HBM3E 12层产品占HBM总收入约60%。

　　面对竞争，SK海力士正推动全公司提升盈利，展望明年营业利润有望达50万亿韩元。NH Investment&Securities报告将其明年DRAM平均售价增幅预期从12.6%上调至19.2%，HBM4产品预计将有显著增长。

　　然而，SK海力士在成本控制上面临挑战，其将HBM4关键部件“基片”外包给台积电，导致成本比自主生产高出六倍。加上HBM4成本预计比HBM3E增加约30%，以及NVIDIA的降价压力，利润率提升可能受限。

　　若SK海力士HBM3E产品价格以每季度10%左右速度下降，到明年年底，其与三星电子的价格差距或将消失。三星采取“数量攻势”策略，不惜短期亏损以扩大供应，进一步加剧市场竞争。

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