英特尔首装天价High-NA EUV光刻机

英特尔宣布已成功安装ASML Twinscan EXE:5200B光刻机，这是业界首台用于商用芯片生产的High-NA EUV光刻机（采用0.55数值孔径投影光学系统）。该设备已通过验收测试，将专门用于Intel 14A（1.4nm）工艺开发，而14A工艺也将成为全球首个在关键层采用High-NA EUV光刻技术的节点，标志着该技术正式从实验阶段迈向量产阶段。

这款2023年英特尔购置的设备性能惊艳：分辨率达8nm，远超传统Low-NA EUV光刻机的13nm（无多重曝光情况下）；更实现0.7nm套刻精度，这一关键参数对特征尺寸持续缩小的先进工艺至关重要。设备集成更高功率EUV光源，在50mJ/cm²剂量下每小时可处理175片晶圆，能提升图像对比度、减少线边缘与线宽粗糙度，解决现代先进节点的核心工艺痛点。

为保障效率与精度，双方还优化了晶圆存储系统，通过提升批次流程管控、精准控温等设计，减少晶圆热胀冷缩带来的套刻误差，降低长时间运行的设备漂移，为1nm以下工艺的多道次、多重曝光技术奠定基础。

作为“天价设备”，每台High-NA EUV光刻机售价高达3.8亿-4亿美元（约合人民币28亿元），远超标准EUV设备。英特尔表示，依托该设备，14A工艺无需多重曝光，可实现更灵活设计规则、更少曝光步骤与掩模数量，缩短周期并提升良率；后续积累的量产经验，还能支撑1nm以下时代引入High-NA EUV多重曝光技术。

除光刻技术外，英特尔同步布局未来晶体管技术：与比利时Imec联合验证了12英寸晶圆兼容的2D材料晶体管工艺，解决了低电阻、可扩展接触难题，虽商业化预计要到2030年代末以后，但显著降低了后硅时代新材料应用风险。

当前全球先进半导体竞争加剧，英特尔正通过High-NA EUV技术推进14A工艺研发，同时储备2D晶体管等长期技术，全力重塑其在产业链中的领先地位。

免责声明：
文章内容转自互联网，不代表本站赞同其观点；
如涉及内容、图片、版权等问题，请联系2644303206@qq.com我们将在第一时间删除内容！