12月15日，ASML首席执行官ChristopheFouquet（克里斯托夫·富凯/傅恪礼）在公司总部接受彭博社专访时重磅表态，预计HighNAEUV光刻机将在2027~2028年正式投入先进制程的大规模量产。这一消息直接为2纳米及以下制程的落地进程划定关键节点，成为全球半导体产业链关注的焦点。HighNAEUV光刻机是突破芯片性能瓶颈的核心设备，其量产节奏决定“埃米时代”芯片普及速度。相较于现
据报道，光刻机龙头厂商ASML于11月19日在台湾举办媒体发布会。ASML中国台湾暨东南亚区客户营销主管徐宽成表示，随着半导体制程技术不断微缩，HighNAEUV（高数值孔径极紫外光刻机）将有效帮助客户节省时间和成本。目前，包括英特尔、IBM及三星在内的客户，累计已有超过35万片晶圆采用HighNAEUV进行曝光。徐宽成指出，当今社会正从“芯片无处不在”向“人工智能（AI）无处不在”转变。AI的发
近日，据国家知识产权局官网消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。相关
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公开消息显示，近日，华为公布了一项新专利，展示了一种《反射镜、光刻装置及其控制方法》，专利申请号为CN202110524685.X。据悉，该专利提供了一种反射镜、光刻装置及其控制方法，而这种方法便能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。Source：华为该光刻装置包括相干光源1、反射镜2(也可以称为去相干镜)、照明系统3。其中，
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半导体细微化（Scaling）是目前半导体行业最热门的话题之一。随着DRAM等的芯片元器件在内的大部分电子元器件和存储单元趋于超小型化，对于高度集成技术的需求也逐渐提高，超小型芯片将可以储存并快速处理天文数字般的数据量。如今，半导体细微化（Scaling）最为核心的是新一代曝光技术——极紫外光刻（ExtremeUltraViolet，简称EUV）技术。“摩尔定律已经终结”半导体细微化技术陷入瓶颈半
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半导体细微化（Scaling）是目前半导体行业最热门的话题之一。随着DRAM等的芯片元器件在内的大部分电子元器件和存储单元趋于超小型化，对于高度集成技术的需求也逐渐提高，超小型芯片将可以储存并快速处理天文数字般的数据量。如今，半导体细微化（Scaling）最为核心的是新一代曝光技术——极紫外光刻（ExtremeUltraViolet，简称EUV）技术。“摩尔定律已经终结”半导体细微化技术陷入瓶颈半
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据韩媒首尔经济日报引述产业人士消息，尽管全球经济减缓，但三星电子明年仍将扩大DRAM与晶圆代工的晶圆产能，并且新增多台EUV极紫外光微影曝光设备。DRAM方面，三星计划扩增其位于韩国平泽P3晶圆厂的DRAM产能。目前，三星P3厂DRAM产线的月产能为2万片12英寸晶圆，而三星计划通过扩增DRAM设备，将该厂的DRAM产能每月增加至7万片12英寸晶圆。不久前，三星宣布推出了业界最先进12纳米级高性能
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对于芯片厂商而言，光刻机显得至关重要，而ASML也在积极布局新的技术。据外媒报道称，截至2022年第一季度，ASML已出货136个EUV系统。按照官方的说法，新型号的EUV光刻机系统NXE:3600D将能达到93%的可用性，这将让其进一步接近DUV光刻机(95%的可用性)。数据显示，NXE:3600D系统每小时可生产160个晶圆(wph)，速度为30mJ/cm，这比NXE:3400C高18%。二正
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