功率场效应晶体管特性功率场效应晶体管及其特性一、功率场效应晶体管是电压控制器件，在功率场效应晶体管中较多采用的是V沟槽工艺，这种工艺生产地管称为VMOS场效应晶体管，它的栅极做成V型，有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点，故在功率应用领域有着广泛的应用，出现一种更好的叫TMOS管，它是在VMOS管基础上改进而成的，没有V形槽，只形成了很短的导通沟槽。二、功率场效应晶体管的基本参数及符

双栅场效应管原理双栅场效应管也称为双栅MOS管。它是一个管子中有两个控制极。从结构上来看可以认为是两个单栅场效应管的串联，增加了第二栅极g2，它具有一定的屏蔽作用，使得漏极与第一栅极之间的反馈电容变得很小，如图所示是彩色电视机高频调作用的双栅场效应管高频放大器。双栅场效应管高频放大器从结构上来说可以认为是共源-共栅放大器的形式。值得注意的是栅g2的电压时可以改变场效应管正向传输特性曲线的斜率，从而

场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管的工作原理是什么？场效应管的特点有哪些？场效应管的工作原理是什么场效应管的特点场效应管的工作原理是什么场效应管的工作原理是什么场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极