电力晶体管基本结构电力晶体管由三个不同掺杂的P型和N型半导体材料构成,分别是发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector)。其中,发射极和基极之间是PN结,基极和集电极之间是PNP结。发射极和基极之间形成一个PN结的结电容,被称为发射结电容(Ces),基极和集电极之间形成一个PNP结的结电容,被称为集电结电容(Ccs)。电力晶体管特点1、高功率:电力晶体管能承受较大的功率

NPN型晶体管基本结构NPN型晶体管的基本结构由三个掺杂不同材料的半导体层构成,分别是P型半导体、N型半导体和P型半导体。其中N型半导体层被夹在两个P型半导体层之间。这三个半导体层按照一定的方式相互连接,形成了两个PN结。其中一个PN结称为发射结,另一个PN结称为集电结。发射结连接到NPN晶体管的发射极,集电结连接到NPN晶体管的集电极,而晶体管的基极连接到两个半导体材料之间。NPN型晶体管特点1

双极晶体管介绍双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor）双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造

光电晶体管种类可以区分为罐封闭型与树脂封入型，而各型又可分别分为附有透镜之型式及单纯附有窗口之型式。就半导体晶方言之，材料有硅(Si)与锗(Ge)，大部份为硅。在晶方构造方面，可分为普通电晶体型与达灵顿电晶体型。再从用途加以分类时，可以分为以交换动作为目的之光电晶体与需要直线性之光电晶体，但光电晶体的主流为交换元件，需要直线性时，通常使用光电二极体。光电晶体管用途物体的检知以光学方式检知物体或符号

双极型功率晶体管简介通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。双极型功率晶体管结构及工作原理双极型功率晶体管结构是普通NPN型器件局部结构的剖面。图中1为发射区，2为基区，3为集电区，4为发

双极性晶体管简介双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。双极性晶

功率晶体管模块模块组成由多个功率晶体管及其附属电路构成的集成器件。用于电力电子装置的主电路中。各类电力电子装置往往需要多个相互关联的功率晶体管、二极管及驱动电路等一起工作。虽然这些装置的线路各种各样，但其主电路类型还是相对固定的，这就有可能按不同类型将主电路元件及线路的部分或整体封装在一个模块中。图1是两种典型的功率晶体管模块。图2为三相变频调速电路。电力电子电路采用晶体管模块后，简化了元件封装、

场效应晶体管分类场效应晶体管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体材料

功率晶体管特性1、通态特性：大注入下基区和集电区发生调制效应，通泰压降很低2、开关特性：关断过程中的电流集中现象：由于基区存在自偏压效应，在晶体管关断过程中使发射机边缘部分反偏，边缘关断而中心仍导通，于是出现电流集中现象3、二次击穿特性，与所有继电器一样。值得说明的是当第一次雪崩击穿后，加在BJT上的能力那个超过临界值才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。功率晶体管主要参数1、额定电压2、电流

双极结型晶体管分类双极结型晶体管（BJT）种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。双极结型晶体管制作一种双极结型晶体管元件，此元件的晶体管中的ｐ型井区环绕在ｎ型发射极区周围，且与发射极底部连接，用以作为一基极区。ｐ型基极拾取区与ｐ型基极连接，且环绕于发射极区周围。ｎ型深井区

光晶体管简介光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体三极管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体三极管可分为两类：双极型光晶体管、光场效应光晶体管及其相关器件。光晶体管种类及其特点光晶体管主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。1、极型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAs-GaAlAs，放大系数可大于1000，响应时间大于纳

3D晶体管发展历程随着摩尔定律的进步越来越艰难，科学家们也早就意识到了3D结构晶体管的必要性。事实上，Intel早在2002年就宣布了3D晶体管设计，先后经过了单鳍片晶体管展示(2002年)、多鳍片晶体管展示(2003年)、三栅极SRAM单元展示(2006年)、三栅极后栅极(RMG)工艺开发(2007年)，直至今日方才真正成熟。这一突破的关键之处在于，Intel可将其用于大批量的微处理器芯片生产流