全球移动芯片行业迎来里程碑突破，三星正式推出全球首款量产2nm移动SoC芯片Exynos2600，基于先进的GAA（环绕栅极）工艺打造，将首发搭载于明年推出的GalaxyS26系列旗舰设备，率先拉开2nm手机时代序幕。这款10核ARM架构芯片性能全面跃升，CPU性能较前代提升39%，NPU算力暴涨113%，可高效处理大规模设备端AI任务；GPU采用最新Xclipse设计，图形性能翻倍，光线追踪能力

12月15日，ASML首席执行官ChristopheFouquet（克里斯托夫·富凯/傅恪礼）在公司总部接受彭博社专访时重磅表态，预计HighNAEUV光刻机将在2027~2028年正式投入先进制程的大规模量产。这一消息直接为2纳米及以下制程的落地进程划定关键节点，成为全球半导体产业链关注的焦点。HighNAEUV光刻机是突破芯片性能瓶颈的核心设备，其量产节奏决定“埃米时代”芯片普及速度。相较于现

德国默克电子宣布，投资5亿欧元（约5.79亿美元）的高雄AI芯片材料工厂已启动认证，2026年验证完成后将正式量产，为台积电、三星等顶尖厂商供应核心材料。这座占地15万平方米的工厂，是默克全球最大半导体材料生产基地。工厂主打原子级薄膜、配方材料等“卡脖子”产品，其中原子级薄膜是3nm及以下先进制程实现复杂架构的关键。当前3nm芯片制造工序超1000道，是14nm的两倍，对特种材料需求激增，默克此布

11月26日，据韩媒TheElec报道，韩国半导体设备商DI正式宣布，已与三星电子中国苏州工厂达成一份价值191亿韩元（约合9189万元人民币）的设备采购合同，核心为供应DDR5内存专用老化测试设备，这一合作将直接加速三星DDR5内存的产能释放。此次交易的推进效率备受关注。根据合同条款，DI公司预计将在12月内全额收回款项，这一明确的付款节点不仅体现了三星对设备需求的迫切性，也彰显了双方对合作的高

国内Fabless半导体龙头兆易创新（GigaDevice）在2025年第三季度业绩说明会上释放重磅信号：自研LPDDR4X内存产品将于明年实现量产，同时已启动小容量LPDDR5X的研发规划，存储业务布局再提速。不过公司明确表示，目前暂无DDR5产品的相关研发计划，将聚焦既定赛道深耕。LPDDR系列内存作为移动终端、物联网设备的核心存储部件，市场需求持续旺盛。兆易创新此次明确LPDDR4X的量产时

近一年来，DDR颗粒短缺已成为电子产业的“共性难题”，直接引发终端产品涨价、研发成本攀升，更导致项目进度延误，消费类产品受冲击尤为明显。在此背景下，深耕智能终端领域的瑞芯微，正通过技术升级与资源开放，为合作伙伴破解困局。瑞芯微旗下RK3588、RK3576、RK3568等主流SOC平台，广泛覆盖各类智能终端场景，且均具备多类型DDR支持能力——在缺货潮中，多一种DDR适配方案，就意味着多一份量产保

株式会社村田制作所开发了D型外壳（7.3×4.3mm），产品高度2.0mmMax，同时实现了村田最大容量（470μF）的平滑滤波聚合物铝电解电容器。本产品将从2023年6月起开始批量生产。近年来，数据中心需要高速处理的不断增长的通信量。因此，不仅要求作为核心设备的服务器需要高速化，引入高性能网络及加速板的趋势亦不断增强。然而，此类设备存在耗电量大，难以确保稳定工作的IC电压变动及IC发热等问题。为

12月25日，据台媒报道，台积电总裁魏哲家此前预告“3纳米今年内在台湾地区量产”的承诺即将兑现。12月23日，台积电发出活动邀请，12月29日将在南科举办3纳米量产暨扩厂典礼。此前，魏哲家在法说会上提到，3纳米进度符合预期，具备良好良率并将在第四季度量产，在高速运算和智能手机应用驱动下，客户对3纳米需求超过产能。此外，魏哲家承诺2纳米工艺2025年量产时会是“最领先的技术”。台积电多次预告今年内在

随着Intel和AMD对DDR5的全面支持，以及新平台兼容性的优化提升，市面上DDR5产品如雨后春笋般涌现，更高的频率、更强的性能也开始成为各大厂商角力的焦点。此前，朗科发布了旗舰款Z系列DDR5内存，经过研发团队对DDR5潜力不断地挖掘，在6200MHz的基础上迎来更新，推出了高达8000MHz的规格频率，将于明年初正式上市。除了DDR5-8000MHz频率外，朗科Z系列还新增了DDR5-760

11月10日，杭州地芯科技有限公司（以下简称“地芯科技”）在IIC国际集成电路展览会暨研讨会上发布了国内首款支持100M超宽带、低功耗、高性能、高集成度，且支持Sub6GHz软件无线电的SDR射频收发机芯片——GC080X系列。销售总监王伟在IIC深圳现场宣布，地芯科技最新5G射频收发机风行系列量产供货，该系列射频收发机是地芯科技完全自主创新产品，包含十数项中美前沿专利技术，可广泛应用于几乎所有现

联电7月6日在宣布启动新加坡工厂扩建计划，将在Fab12i厂区扩建Fab12iP3厂房，合约总金额88.13亿元新台币。根据联电作出的规划，新厂第一期月产能为3万片，预计将在2024年底量产，以22nm及28nm制程为主力，主要针对5G、物联网和车用电子的需求，新厂总投资金额为50亿美元。此外，联电不久前还对外宣布，除在新加坡Fab12i扩建的新厂计划外，还将与车用电子大厂日本电装公司策略合作，在